HBF คือการวาง Die ของ NAND ซ้อนกัน โดยมี Through Silicon Vias (TSVs) เชื่อมต่อกัน และมี controller logic die ติดตั้งอยู่ ซึ่งคล้ายกับการทำงานของ HBM stack ที่ใช้ DRAM
ปัจจุบัน SanDisk กำลังร่วมมือกับ SK hynix พัฒนา HBF standard ที่สามารถให้พื้นที่เก็บข้อมูล 512GB พร้อมแบนด์วิดท์ 0.4TB/s ถึง 3TB/s โดยคาดว่าจะวางจำหน่ายเชิงพาณิชย์ในปี 2028/2029
แม้ว่า HBF จะมีต้นทุนต่อ GB ต่ำกว่า HBM4 stack ถึงมาก แต่แต่ละ 8-Hi HBF stack กลับใช้แผ่นเวเฟอร์มากกว่า TLC NAND ทั่วไปถึง 6.5 เท่า ซึ่งอาจจำกัดอุปทานของแผ่นเวเฟอร์ NAND เมื่อ HBF เข้าสู่ตลาด ทำให้การมี SSD ที่ถูกลงเป็นไปได้ยาก
ศัพท์ที่ควรรู้
- HBF (High Bandwidth Flash) – เป็นเทคโนโลยีการจัดเรียง Die ของ NAND ซ้อนกันเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพ
- TSVs (Through Silicon Vias) – คือทางเดินที่ทะลุผ่านซิลิคอนเชื่อมต่อ Die ต่างๆ เข้าด้วยกัน
- HBM4 stack – คือการจัดเรียง Die ของ DRAM ในรูปแบบที่ใช้ใน HBM4 ซึ่งเป็นเทคโนโลยีที่เกี่ยวข้อง
ที่มา: Wccftech