ผู้พิพากษายกเลิกข้อต่อสู้ของบริษัทผู้ผลิตหน่วยความจำ กรณีฟ้องร้องการจำกัดอุปทาน DRAM

ผู้พิพากษา Noël Wise แห่งศาลแขวงเหนือของแคลิฟอร์เนีย ได้ปฏิเสธคำร้องร่วมของ Samsung, Micron และ SK hynix ที่ต้องการให้ยกฟ้อง โดยเห็นว่าคำร้องนั้นกล่าวอ้างอย่างสมเหตุสมผลถึงข้อตกลงที่ผิดกฎหมายซึ่งละเมิดมาตรา 1 ของ Sherman Act

โจทก์ ซึ่งประกอบด้วยผู้บริโภคและธุรกิจขนาดเล็ก 17 ราย ใน 5 รัฐ ได้ฟ้องร้องบริษัทผู้ผลิต DRAM เหล่านี้ โดยอ้างว่าพวกเขารวมกันควบคุมรายได้ DRAM ทั่วโลกมากกว่า 91% ณ ไตรมาสที่สามของปี 2025

แม้ว่าจำเลยจะโต้แย้งว่าการเคลื่อนไหวของตนเป็นการตอบสนองต่อความต้องการ AI ที่บูม และคล้ายกับคดีปี 2018 ที่เคยถูกยกไป แต่ผู้พิพากษา Wise ไม่เห็นด้วย โดยระบุว่าข้อกล่าวหาของโจทก์นั้นเกินกว่าการเฝ้าระวังของคู่แข่งทั่วไป แต่เป็นการกระทำที่บ่งชี้ถึงการร่วมมือกันอย่างชัดเจน

เนื่องจาก HBM ต้องการพื้นที่เวเฟอร์ซิลิคอนมากกว่ามาตรฐาน DDR5 ถึงสามถึงสี่เท่า ทำให้เกิดการจำกัดอุปทานอย่างรุนแรงและส่งผลกระทบต่ออุตสาหกรรมทั้งหมด

ศัพท์ที่ควรรู้

  • DRAM – คือหน่วยความจำชนิดหนึ่งที่ถูกกล่าวถึงในคดีนี้ ซึ่งเป็นส่วนประกอบสำคัญของคอมพิวเตอร์และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
  • Sherman Act – คือกฎหมายของสหรัฐอเมริกาที่ควบคุมการผูกขาดและการแข่งขันที่ไม่เป็นธรรมในตลาด
  • HBM – คือเทคโนโลยีหน่วยความจำขั้นสูงที่ต้องการพื้นที่เวเฟอร์ซิลิคอนมากกว่าหน่วยความจำมาตรฐาน เช่น DDR5
  • Silicon Wafer – คือแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอน ซึ่งเป็นวัสดุตั้งต้นในการผลิตชิปเซมิคอนดักเตอร์

ที่มา: Wccftech

Leave a Comment